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【ITBEAR】硅晶体管，作为现代电子设备的核心部件，其性能提升一直受限于“波尔兹曼”这一物理障碍，导致无法在低于特定电压下运行。然而，美国麻省理工学院的研究团队近日取得了突破性进展。 该团队利用锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料，成功...
此次收购对于安森美来说意义重大。SiC JFET技术的加入，将极大地丰富安森美现有的EliteSiC组合，使其能够更全面地满足段对高能效和高功率密度的迫切需求。在当前数据中心日益追求高效能和低能耗的背景下，这一收购无疑为安森美提供了强大的...
2024年11月13日，华羿微电子股份有限公司宣布获得一项名为“一种MOSFET器件终端及制备方法”的新专利，此消息成为业界热议的焦点。该专利的授权公告号为CN112201695B，其申请日期为2020年10月。MOSFET（场效应晶体管...
【科技前沿】 【技术文献】 【专家视点】 【设备选型】 【应用实例】 【解决方案】 【技术参数】 来源：麻省理工科技评论APP 更新时间：2024-11-15 11:17:38[我要投稿] 硅晶体管在信号的放大和开关中起着关键作用，几...
到2012 年 Angstrom-T 还获得了IBM 许可，生产 90 纳米芯片——总成本为 3.67 亿欧元。按照计划，他们将130纳米-110纳米微电路用于片上系统产品类别：处理器、智能卡、固定和移动通信（包括格洛纳斯导航系统）、电子...
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