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3.4 假设： （采用一维理想模型） 1，e,b,c 三个区均匀掺杂，e,c 结突变, 2，e,c 结为平行平面结，其面积相同，电流垂直结平面 3，外电压全降在空电区，势垒区外无电场，故无漂移电流 4，e,c 区长度＞＞少子 L，少子浓度...
缺点：1、发射区接触孔的面积小，使得其易受电子迁移的影响。 所有发射极电流都必须通过接触孔的侧壁，这将引起金属层内电 流的高度集中，极易产生电迁移。有些设计师采用最小接触孔阵列代 替每个十字交叉中心的单个接触孔以增加侧壁周长。 2、在大功...
ULN2803A包含八个达林顿晶体管，这些晶体管具有公共发射极和用于电感负载的集成抑制二极管。每个达林顿都具有600毫安（500毫安连续）的峰值负载电流额定值，并且在关闭状态下可以承受至少50伏。输出可以并联以获得更高的电流能力。 UL...
)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、...
原标题：华经产业研究院重磅发布《2023年中国碳化硅功率器件行业深度研究报告》 当前碳化硅材料功率器件主要分为二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二极管（JBS）、PiN功率二极管（PiN）；晶体管主...
（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N型掺杂半导体材料隔开。 PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s，而电子是少...
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