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在近日举行的2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔概述了其未来技术发展方向，介绍了在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术。英特尔表示，目前在全新的功率器件和内存技术上取得的重大突破，这些基于物理学新概念所衍生的新技术，...
该公司正在研发的一种名为“A16”的新型芯片制造技术将于2026年下半年投产，届时台积电将与长期竞争对手英特尔展开一场最尖端芯片的“大对决”。 该公司在加州圣克拉拉举行的一次会议上宣布了“A16”的消息。台积电高管在会上表示，人工智能芯...
2. 意法在碳化硅技术上已经有25年的研发经验，推出了多代产品，并在晶圆和衬底方面进行了投资，稳固了其在碳化硅领域的领先地位。 3. 英飞凌虽然在碳化硅技术上稍有落后，但通过沟槽栅设计和严苛的测试，其产品在性能、可靠性和耐用性方面具有优...
器件。它的主要结构由三个电极和一个半导体沟道（指连接源极和漏极的半导体区域）组成。 场效应晶体管的三个电极分别是 源极、栅极和漏极 ，它们的功能和双极型晶体管的发射极、基极和集电极类似。源极是输入信号的源头，漏极是输出信号的终点，栅极是...
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场...
PNP型晶体管晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型，它们的结构原理是相同的。三极管有三个区、三个电极。其中基区（三极管中间的一层薄半导体）引...
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