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基于宽禁带半导体的新型材料具有许多优越的特性，它们正在占据充电器和其他电力来说，一个很大的问题是沟道中电子的迁移率相对较低，沟道是器件栅极下方的区域，通过该区域在源极和漏极之间流动。这种低迁移率阻碍了SiC晶体管的高速开关。这反过来又限制...
比较器是一个可以将模拟电压信号与基准电压相比较的电路，是开环运放在非线性状态的典型应用，两路输入为模拟信号，输出为二进制信号0或1，国芯思辰提供通用和高速系列比较器。 在运放产品中，通用运放的性能稳定、技术指标适中，产品的可选择面大，应...
日前清华大学宣布，集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，晶体管栅极长度等效0.34nm。 据清华大学介绍，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，日本中在2012年实...
在双极型晶体管中，载流子包含电子运动，也包含空穴运动，像两股力量一般流向两个极； 而在场效应管中，只有一种载流子运动，或者电子或者空穴，流向一个极，因此叫单极型晶体管。 JFET工作电流很小，适合于模拟信号放大，分为N沟道和P沟道两种...
的通断。三极管还可以实现整流和稳压等功能。最常见的三极管有NPN和PNP型三极管，两种类型的三极管结构上相似，但它们的载流子类型和 三极管作为一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极...
器件。它由三部分掺杂程度不同的半导体组成，这三部分分别是发射区、基区和集电区。这种晶体管的工作方式涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此被称为双极性的。 在双极结型晶体管中，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射...
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