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JFET的工作原理基于PN结的反向偏置特性和场效应原理。其基本结构由一块材料（通常是N型或P型）和在其上形成的两个高掺杂区域（通常为P型或N型）构成，这两个高掺杂区域通过金属连接后作为栅极（G），而半导体材料的两端则分别引出源极（S）和漏...
当前位置：供求商机 半导体器件参数测试仪iv+cv曲线分析 SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I...
量子霍尔效应是指在低温和强磁场环境下的二维电子系统中出现的一种现象。自1980年，首次发现量子霍尔效应以来，它就成为凝聚态物理学中的基石，为我们理解量子力学和受限电子系统的行为提供了独特视角。理解量子霍尔效应首先需要了解经典霍尔效应。 ...
IGBT，全称绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT），是一种功率开关元件，综合了电力晶体管（Giant Transistor）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具...
IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种功率半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。IGBT通常用于高电压和高电流应用，例如 IGBT晶体管通常有有特定的外观特征，其封装一般较大且多为模块封装。最常见的封装类型有...
金融界 2024 年 10 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“绝缘栅双极性晶体管及其制备方法、电子设备”的专利，公开号 CN 118763097 A，申请日期为 2024 年 7 月。 专...
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