上一节我们已经初步了解PN结，将PN结加上相应的电极引线和管壳，就构成了简单的二极管

　　当外加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区

　　电压逐渐增大，直到大于某个值时，正向电流开始迅速增长，这个临界电压称为开启电压

　　不同材料二极管的开启电压不同， 硅Si的开启电压为0.5V， 锗Se的开启电压为0.1V

　　外加正向电压超过开启电压时，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区。电压再继续增加时，电流迅速增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二极管端电压称为导通压降

　　在二极管两端加一定范围的反向电压时，将有很小的、由少子漂移运动形成的反向饱和电流I_s通过二极管，它随温度的上升增长很快(少子漂移受温度影响较大)。在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定

　　硅Si的反向饱和电流约在1\mu A以下，锗Se的反向饱和电流约为几十\mu A

　　外加反向电压超过反向击穿电压U_{BR}时， 反向电流突然增大，二极管失去单向导电性， 进入反向击穿区

　　击穿类型有电击穿（可逆）和热击穿（不可逆），电击穿又分为雪崩击穿（渗杂浓度低）和齐纳击穿（渗杂浓度高）

　　主要决定于PN结的结电容的大小。若二极管的工作频率超过该值，则二极管的单向导电性能将变得较差