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JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以...
一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。 一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。 中间层（N型）称为B-Base终端。 左侧的P型层用作E-发射极端子，右侧的P型层用作...
NPN晶体管是晶体管的一种，当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 发射极为N型半导体、基极为P型半导体、集电极为N型...
栅驱动器是一种通过放大MCU信号来控制晶体管导通或关闭的电路，相比分立式器件，栅驱动器集成度高，无需外部器件即可实现保护功能，能显著提高电路性能。目前国芯思辰栅驱动器分为电桥电路栅驱动器和MOSFET栅驱动器两种类型，MOSFET栅驱动器...
模型电路教材主要介绍npn晶体管的放大电路。这里简单介绍一下pnp晶体管的原理。 当VCVB和VEVB时，集电极结和发射极结均为正偏，管工作在饱和状态。此时，管电压降约为0.1-0.3V..IC=VCC/RC，即集电极电流基本上取决于集...
可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，它表示vDS较小、管子预夹断前，电压vDS与漏极电流iD间的关系。在此区域内有VP＜vGS0，vDS＜vGS－VP。当vGS一定，vDS较小时，vDS对沟道影响不大，沟道电阻基本不变，iD与vDS之间...
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